日本記憶體晶片製造商鎧俠控股（Kioxia Holdings）據傳計劃明年開始在岩手縣的晶圓廠生產新一代的 NAND 快閃記憶晶片，希望大幅提升長期資料儲存容量，來滿足AI資料中心龐大的運算需求。
據日本經濟新聞報導，鎧俠岩手廠將以所謂「第10代」技術展開量產。將堆疊記憶體的層數從第8代的218層拉高到332層，每單位面積的儲存容量可提升59%，資料傳輸速度也能提高33%，同時還能降低耗電。
外界原先推測，鎧俠可能會在負責研發的三重縣四日市的晶圓廠量產新晶片。但多位知情人士向日經透露，量產地點將改在岩手縣北上市的晶圓廠。
鎧俠並未規劃擴建，而是使用園區內 9 月剛開始運轉的晶圓二廠（Fab2）量產。
據報導，鎧俠采雙軌策略路線：一方面開發並量產高效能、但投資成本較低的產品；另一方面則推出層數更多、容量更大的大型產品。
第10代晶片正是鎧俠鎖定的大容量產品，四日市廠將持續負責高效能產品；至於需要大筆資本投入、透過增加層數來擴大容量的產品，則改由北上市廠負責量產，確保整體生產運作更有效率。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});